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Inovação e Aplicação da Tecnologia de Preparação de Revestimentos de TaC

2025-08-25

O grafite revestido com TaC apresenta uma resistência superior à corrosão química em comparação com o grafite puro e pode funcionar de forma estável a temperaturas de até 2600 °C.É o revestimento de maior desempenho para crescimento de cristal único de semicondutores de terceira geração e crescimento epitaxial de waferOs revestimentos de TaC corrigem os defeitos da borda do cristal e melhoram a qualidade do crescimento do cristal, tornando-o uma das principais tecnologias para alcançar o crescimento "rápido, grosso e grande".

Atualmente, a deposição química de vapor (CVD) é o método mais comum para a preparação de revestimentos TaC para aplicações em semicondutores. the German Institute for Semiconductors and the Japanese TaC Research & Industrialization Organization have demonstrated significant advantages over CVD TaC coatings in the growth of GaN single crystals and PVT growth of SiC single crystals.

A tecnologia de revestimento TaC multi-fase desenvolvida independentemente pela China, ao mesmo tempo que cumpre as especificações técnicas, pode reduzir significativamente o custo dos revestimentos TaC em comparação com os métodos CVD.Oferece também vantagens tais como alta resistência de ligação, baixa tensão térmica, excelente vedação e estabilidade a altas temperaturas.

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