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Embora ambos sejam referidos como "deposição", a PCD e a DCV diferem muito em funções.

2026-09-21

Razões Principais:

O PVD remove principalmente materiais de origem por meios físicos e os transporta para o wafer.
O CVD permite que precursores gasosos sofram continuamente reações químicas na superfície.

Ao selecionar um processo, as perguntas reais a serem consideradas são como o material chega à superfície, onde o filme se forma e qual mecanismo encerra o crescimento.

Processos:

PVD: Extrai materiais da fonte sólida primeiro. PVD é o termo geral para Deposição Física de Vapor.Evaporação usa fontes de calor ou feixes de elétrons para vaporizar materiais; sputtering emprega íons de plasma para bombardear o alvo e arrancar átomos do alvo. As espécies formadoras de filme são transportadas em vácuo e finalmente condensam na superfície do wafer.
CVD: Gases reagem continuamente para formar filmes após atingirem a superfície. CVD significa Deposição Química de Vapor. Precursores viajam com o fluxo de gás até as proximidades do wafer, passam pela camada limite, depois adsorvem, decompõem ou reagem na superfície. Sólidos depositam no wafer, enquanto subprodutos voláteis são exauridos.

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