Temp.of deposition((℃): 900-1050
Process pressure(mbar): 100-300
Process temperature((℃): 700-1050
Precursors and process gases: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Precursores e gases de processo: TiCl4、AlCl3、CH3CN、H2、N2、Ar、CH4、CO、CO2、HCl、H2S
Substratos de revestimento: Metal, Cerâmica, Vidro, etc.
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Método de revestimento: Deposição química de vapor (CVD)
Potência total: Cerca de 40/50/60/80KW
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Precursores e gases de processo: TiCl4、AlCl3、CH3CN、H2、N2、Ar、CH4、CO、CO2、HCl、H2S
Tamanho do equipamento de revestimento: Personalizável
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Potência total: Cerca de 40/50/60/80KW
Substratos de revestimento: Metal, Cerâmica, Vidro, etc.
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Substratos de revestimento: Metal, Cerâmica, Vidro, etc.
Adesão do Revestimento: Forte.
Temperatura de processo (°C): 700 a 1050
Precursores e gases de processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Temperatura de processo (°C): 700 a 1050
Precursores e gases de processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Temperatura de processo (°C): 700 a 1050
Precursores e gases de processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Temperatura de processo (°C): 700 a 1050
Precursores e gases de processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Temperatura de processo (°C): 700 a 1050
Tipos de revestimento: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3
Temperatura de processo (°C): 700 a 1050
Tipos de revestimento: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3
Temperatura de processo (°C): 700 a 1050
Tipos de revestimento: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3
Max.temperatura de funcionamento ((°C): 1300
Uniformidade de temperatura ((°C): ≤ ± 7
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Espaço efetivo ((mm): 1000*1000*1500
Potência de aquecimento ((KVA): 300
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